Оперативная память. Исследование рынка оперативной памяти icon

Оперативная память. Исследование рынка оперативной памяти



НазваниеОперативная память. Исследование рынка оперативной памяти
Дата конвертации02.08.2012
Размер121,39 Kb.
ТипИсследование
Оперативная память. Исследование рынка оперативной памяти


Владивостокский Государственный Университет Экономики и Сервиса Кафедра Экономической Информатики РЕФЕРАТ по дисциплине: «Аппаратные и программные средства ЭВМ» на тему: «Оперативная память. Изучение рынка оперативной памяти» Выполнил: студент группы ПЭ-00-04 Сазонов А. Б. Проверил: преподаватель Бедрина С. Л. Владивосток 2001 СодержаниеI. Основные сведения об оперативной памяти 1. Назначение 2. Характеристики 3. Разъемы SIMM и DIMM 4. Спецификация SDRAM PC100 a) Спецификация PC100. Ключевые моменты b) SPD (Serial Presence Detect) c) Синхронное выполнение 5. Типы высокоскоростной памяти a) SDRAM b) Enhanced SDRAM (ESDRAM) c) DDR SDRAM (SDRAM II) d) SLDRAM e) RDRAM (Rambus DRAM) f) Direct Rambus Memory System 6. Совместимость. О существующих форм-факторах 7. Производители чипов Чипсет Intel 820 8. Что нас ждетII. Изучение цен и спроса на оперативную память Рынок, таблицы, графики, анализ, выводы Основные сведения об оперативной памяти Назначение Оперативная память является одним из важнейших элементов компьютера.Именно из нее процессор берет программы и исходные данные для обработки, внее он записывает полученные результаты. Название «оперативная» эта памятьполучила потому, что она работает очень быстро, так что процессорупрактически не приходится ждать при чтении данных из памяти или записи впамять. Однако содержащиеся в ней данные сохраняются только пока компьютервключен. При выключении компьютера содержимое оперативной памяти стирается.Часто для оперативной памяти используют обозначение RAM (Random AccessMemory, то есть память с произвольным доступом). Характеристики Трудно недооценить все значение и всю важность этих небольших по своимразмерам плат. Сегодняшние программы становятся все требовательнее нетолько к количеству, но и к быстродействию ОЗУ. Однако до недавнего времениэта область компьютерной индустрии практически не развивалась (по сравнениюс другими направлениями). Взять хотя бы видео, аудиоподсистемы,производительность процессоров и. т. д. Усовершенствования были, но они несоответствовали темпам развития других компонентов и касались лишь такихпараметров, как время выборки, был добавлен кэш непосредственно на модульпамяти, конвейерное исполнение запроса, изменен управляющий сигнал выводаданных, но технология производства оставалась прежней, исчерпавшей свойресурс. Память становилась узким местом компьютера, а, как известно,быстродействие всей системы определяется быстродействием самого медленногоее элемента. И вот несколько лет назад волна технологического бумадокатилась и до оперативной памяти. Стали появляться новые типы RAMмикросхем и модулей. Встречаются такие понятия, как FPM RAM, EDO RAM, DRAM,VRAM, WRAM, SGRAM, MDRAM, SDRAM, SDRAM II (DDR SDRAM), ESDRAM, SLDRAM,RDRAM, Concurrent RDRAM, Direct Rambus. Большинство из этих технологийиспользуются лишь на графических платах, и в производстве системной памятикомпьютера используются лишь некоторые из них. Разъемы SIMM и DIMM 72-пиновые разъемы SIMM ожидает та же участь, которая несколькимигодами раньше постигла их 30-пиновых предшественников: те уже давно непроизводятся. Им на смену в 1996 г. пришел новый разъем DIMM со 168контактами, а сейчас появляется еще разъем RIMM. Если на SIMMреализовывались FPM и EDO RAM, то на DIMM - более современная технологияSDRAM. В системную плату модули SIMM необходимо было вставлять толькопопарно, а DIMM можно выбрать по одному, что связано с разрядностью внешнейшины данных процессоров Pentium. Такой способ установки предоставляетбольше возможностей для варьирования объема оперативной памяти. [pic] Модуль памяти Registered DIMM Первоначально материнские платы поддерживали оба разъема, но ужедовольно продолжительное время они комплектуются исключительно разъемамиDIMM. Это связано с упомянутой возможностью устанавливать их по одномумодулю и тем, что SDRAM обладает большим быстродействием по сравнению с FPMи EDORAM. Если для FPM и EDO памяти указывается время чтения первой ячейки вцепочке (время доступа), то для SDRAM указывается время считыванияпоследующих ячеек. Цепочка - несколько последовательных ячеек. Насчитывание первой ячейки уходит довольно много времени (60-70 нс)независимо от типа памяти, а вот время чтения последующих сильно зависит оттипа. Спецификация SDRAM PC100 Еще одно преимущество SDRAM перед EDO заключается в том, что EDO неработает на частотах свыше 66 МГц, а SDRAM доступна частота шины памяти до100 МГц. [pic] Стандартный модуль памяти SDRAM PC100 Выпустив чипсет 440BX с официальной поддержкой тактовой частотысистемной шины до 100 МГц, Intel сделала оговорку, что модули памяти SDRAMнеустойчиво работают на такой скорости. После заявления Intel представилановую спецификацию, описывающую все тонкости, - SDRAM PC100. Спецификация PC100. Ключевые моменты . Определение минимальной и максимальной длины пути для каждого сигнала в модуле. . Определение ширины дорожек и расстояния между ними. . 6-слойные платы с отдельными сплошными слоями масса и питание. . Детальная спецификация расстояний между слоями. . Строгое определение длины тактового импульса, его маршрутизации, момента начала и окончания. . Подавляющие резисторы в цепях передачи данных. . Детальная спецификация компонента SDRAM. Модули должны содержать чипы памяти SDRAM, совместимые с Intel SDRAM Component SPEC (version 1.5). Данной спецификации отвечают только 8-нс чипы, а 10-нс чипы, по мнениюIntel, неспособны устойчиво работать на частоте 100 МГц. . Детальная спецификация программирования EEPROM. Модуль должен включать интерфейс SPD, совместимый с Intel SPD Component SPEC (version 1.2). . Особые требования к маркировке. . Подавление электромагнитной интерференции. . Местами позолоченные печатные платы. Введение стандарта PC100 в некоторой степени можно считать рекламнойуловкой, но все известные производители памяти и системных плат поддержалиэту спецификацию, а с появлением следующего поколения памяти переходят наего производство. Спецификация PC100 является очень критичной, одно описание сдополнениями занимает больше 70 страниц. Для комфортной работы с приложениями, требующими высокогобыстродействия, разработано следующее поколение синхронной динамическойпамяти - SDRAM PC133. В продаже можно найти модули, поддерживающие этуспецификацию, причем цена на них превышает цены соответствующих моделейPC100 на 10-30%. Насколько это оправдано, судить довольно сложно.Продвижением данного стандарта на рынок занимается уже не Intel, а ихглавный конкурент на рынке процессоров AMD. Intel же решила поддерживатьпамять от Rambus, мотивируя это тем, что она лучше сочетается с шиной AGP4x. 133-МГц чипы направлены на использование с новым семействоммикропроцессоров, работающих на частоте системной шины 133 МГц, и полностьюсовместимы со всеми PC100-продуктами. Такими производителями, как VIATechnologies, Inc., Acer Laboratories Inc. (ALi), OPTi Inc., SiliconIntegrated Systems (SiS) и Standard Microsystems Corporation (SMC),разработаны чипсеты, поддерживающие спецификацию PC133. Недавно появилась еще одна интересная технология - Virtual ChannelMemory. VCM использует архитектуру виртуального канала, позволяющую болеегибко и эффективно передавать данные с использованием каналов регистра начипе. Данная архитектура интегрирована в SDRAM. VCM, помимо высокойскорости передачи данных, совместима с существующими SDRAM, что позволяетделать апгрейд системы без значительных затрат и модификаций. Это решениетакже нашло поддержку у некоторых производителей чипсетов. SPD (Serial Presence Detect) SPD - это небольшой чип, находящийся на модуле памяти и хранящийнекоторые его параметры (рабочее напряжение, число банков, тип, емкость,время доступа и т. д.). Информация записывается в микросхемы EEPROM,позволяющие запоминать 2048 бит. Первые 128 байт не могут быть перезаписаныи отводятся под некоторую специальную информацию производителя, аоставшееся место доступно пользователю и содержит данные модуля. На модулях"безымянного" производства, как правило, SPD отсутствует, хотя некоторыематеринские платы требуют его наличия (например, платы на чипсете 440LX).Возможно, это сделано, чтобы исключить использование "левой" продукции иличтобы избавить пользователя от необходимости делать вручную настройкупамяти в BIOS. Синхронное выполнение Сейчас уже не актуально использовать 66-МГц шины памяти. РазработчикиDRAM нашли возможность преодолеть этот рубеж и извлекли некоторыедополнительные преимущества путем осуществления синхронного интерфейса. С асинхронным интерфейсом процессор должен ожидать, пока DRAM закончитвыполнение своих внутренних операций, которые обычно занимают около 60 нс.С синхронным управлением DRAM происходит защелкивание информации отпроцессора под управлением системных часов. Триггеры запоминают адреса,сигналы управления и данных, что позволяет процессору выполнять другиезадачи. После определенного количества циклов данные становятся доступны, ипроцессор может считывать их с выходных линий. Другое преимущество синхронного интерфейса заключается в том, чтосистемные часы задают только временные границы, необходимые DRAM. Этоисключает необходимость наличия множества стробирующих импульсов. Врезультате упрощается ввод, т. к. контрольные сигналы адреса данных могутбыть сохранены без участия процессора и временных задержек. Подобныепреимущества также реализованы и в операциях вывода. Типы высокоскоростной памяти Всю память с произвольным доступом (RAM) можно разделить на два типа:DRAM (динамическая RAM) и SRAM (статическая RAM). К первому поколению высокоскоростных DRAM главным образом относят EDODRAM, SDRAM и RDRAM, а к следующему - ESDRAM, DDR SDRAM, Direct RDRAM,SLDRAM (ранее SynchLink DRAM) и т. д. SDRAM SDRAM способна работать на частоте, превышающей частоту работы EDODRAM. В первой половине 1997 г. SDRAM занимала примерно 25% всего рынкаDRAM. Как и предполагалось, к 1998 г. она стала наиболее популярной изсуществующих высокоскоростных технологий и занимала более 50% рынка памяти.Первоначально SDRAM работала на частоте от 66 до 100 МГц. Сейчас существуетпамять, работающая на частотах от 125 до 143 МГц и даже выше. [pic] Модуль SDRAM на 256Мбайт Enhanced SDRAM (ESDRAM) Для преодоления некоторых проблем с задержкой сигнала, присущихстандартным DRAM-модулям, производители решили встроить небольшоеколичество SRAM в чип, т. е. создать на чипе кэш. Одним из таких решений,заслуживающих внимания, является ESDRAM от Ramtron InternationalCorporation. ESDRAM - это по существу SDRAM плюс немного SRAM. При малой задержке ипакетной работе достигается частота до 200 МГц. Как и в случае внешней кэш-памяти, DRAM-кэш предназначен для хранения наиболее часто используемыхданных. Следовательно, уменьшается время доступа к данным медленной DRAM. DDR SDRAM (SDRAM II) DDR SDRAM (Double Date Rate SDRAM) является синхронной памятью,реализующей удвоенную скорость передачи данных по сравнению с обычнойSDRAM. DDR SDRAM не имеет полной совместимости с SDRAM, хотя использует методуправления, как у SDRAM, и стандартный 168-контактный разъем DIMM. [pic] Наклейка соответствия модуля спецификации SDRAM PC100 DDR SDRAM достигает удвоенной пропускной способности за счет работы наобеих границах тактового сигнала (на подъеме и спаде), а SDRAM работаеттолько на одной. SLDRAM Стандарт SLDRAM является открытым, т. е. не требует дополнительнойплаты за лицензию, дающую право на производство чипов, что позволяетснизить их стоимость. Подобно предыдущей технологии, SLDRAM использует обеграницы тактового сигнала. Что касается интерфейса, то SLDRAM перенимаетпротокол, названный SynchLink Interface. Эта память стремится работать начастоте 400 МГц. У всех предыдущих DRAM были разделены линии адреса, данных иуправления, которые накладывают ограничения на скорость работы устройств.Для преодоления этого ограничения в некоторых технологических решениях всесигналы стали выполняться на одной шине. Двумя из таких решений являютсятехнологии SLDRAM и DRDRAM. Они получили наибольшую популярность изаслуживают внимания. [pic] Модуль памяти DRDRAM RDRAM (Rambus DRAM) RDRAM представляет спецификацию, созданную Rambus, Inc. Частота работыпамяти равна 400 МГц, но за счет использования обеих границ сигналадостигается частота, эквивалентная 800 МГц. Спецификация Rambus сейчаснаиболее интересна и перспективна. Модули от Rambus, Inc. Direct Rambus DRAM - это высокоскоростная динамическая память спроизвольным доступом, разработанная Rambus, Inc. Она обеспечивает высокуюпропускную способность по сравнению с большинством других DRAM. DirectRambus DRAMs представляет интегрированную на системном уровне технологию. Работа Direct RDRAMtm определяется требованиями подсистемы DirectRambus. Для понимания деталей спецификации Direct Rambus DRAM необходимопонять подсистему памяти Rambus в целом. Direct Rambus Memory System Подсистема памяти Direct Rambus включает следующие компоненты: . Direct Rambus Controller . Direct Rambus Channel . Direct Rambus Connector . Direct Rambus RIMM(tDm) . Direct Rambus DRAMs Физические, электрические и логические части всех этих компонентовопределены и специфицированы Rambus, Inc. Это требуется для совместимости ивысокоскоростной работы подсистемы Direct Rambus. Технология Direct Rambus представляет собой третий этап развитияпамяти RDRAM. Впервые память RDRAM появилась в 1995 г., работала на частоте150 МГц и обеспечивала пропускную способность 600 Мбайт/с. Онаиспользовалась в станциях SGI Indigo2 IMPACTtm, в приставках Nintendo64, атакже в качестве видеопамяти. Следующее поколение RDRAM появилось в 1997 г.под названием Concurrent RDRAM. Новые модули были полностью совместимы спервыми. Но за год до этого события в жизни компании произошло не менеезначимое событие. В декабре 1996 г. Rambus, Inc. и Intel Corporationобъявили о совместном развитии памяти RDRAM и продвижении ее на рынокперсональных компьютеров. Совместимость. О существующих форм-факторах. [pic] В качестве оперативной памяти используются модули SIMM, DIMM, RIMM, SO-DIMM и SO-RIMM. Все они имеют разное количество контактов. Модули SIMMсейчас встречаются только в старых моделях материнских плат, а им на сменупришли 168-контактные DIMM. Модули SO-DIMM и SO-RIMM, имеющие меньшееколичество контактов, чем стандартные DIMM и RIMM, широко используются впортативных устройствах. Модули RIMM можно встретить в платах на новомчипсете Intel [pic] Модуль памяти SO-DIMM Совпадение форм-факторов модуля и разъема не всегда стопроцентногарантирует работоспособность модуля. Для сведения к минимуму рискаиспользования неподходящего устройства применяются так называемые ключи. Вмодулях памяти такими ключами являются один или несколько вырезов. Этимвырезам на разъеме соответствуют специальные выступы. Так в модулях DIMMиспользуется два ключа. Один из них (вырез между 10 и 11 контактами)отвечает за буферизованность модуля (модуль может быть буферизованным илинебуферизованным), а второй (вырез между 40 и 41 контактами) - за рабочеенапряжение (может быть 5 В или 3,3 В). [pic] Модуль памяти DDR DIMM Использование модулей памяти с покрытием контактов, отличным отпокрытия контактов разъема также допускается. Хотя утверждают, чтоматериал, используемый для покрытия модулей и разъемов, должен совпадать.Мотивируется это тем, что при различных материалах возможно появлениегальванической коррозии, и, как следствие, разрушение модуля. Хотя такоемнение не лишено оснований, но, как показывает опыт, использование модулейи разъемов с разным покрытием никак не сказывается на работе компьютера. Производители чипов Существует много фирм, производящих чипы и модули памяти. Их можноразделить на brand-name и generic-производителей. При покупке (особенно на рынках) хорошо бы лишний раз убедиться вправильности предоставляемой продавцом информации (как говорится, доверяй,но проверяй). Произвести такую проверку можно расшифровав имеющуюся на чипестроку букв и цифр (как правило, самую длинную) с помощью соответствующегоdatabook и материалов, находящихся на сайте производителя. Но часто бывает,что необходимой информации не оказывается под рукой. И все же своей целиможно добиться, т. к. большинство производителей придерживаются более илименее стандартного вида предоставления информации (исключение составляютSamsung и Micron). По маркировке чипа можно узнать производителя, типпамяти, рабочее напряжение, скорость доступа, дату производства и др. Чипсет Intel 820 В конце прошлого года после долгого ожидания появились первыесистемные платы на чипсете Intel 820, поддерживающие память Direct Rambus.Правда, в наших магазинах пока нельзя приобрести ни таких плат, ни память,но если все-таки вы твердо решили перейти на новую систему и не хотитеподождать недельку-другую, то можете воспользоваться услугами Internet. Немаловажным вопросом при переходе на новую систему является еестоимость. При покупке системной платы на i820 скорее всего придетсяприобретать новую память, т. к. этот чипсет поддерживает DRDRAM. Как можновидеть из таблицы, этот чипсет способен работать и с PC100 SDRAM, но дляэтого требуется наличие транслятора памяти на материнской плате. Технология производства DRDRAM не очень сильно отличается по стоимостиот производства SDRAM, но необходимо учесть, что стандарт RDRAM являетсязакрытым и, следовательно, чтобы производить эти чипы, фирма должнаприобрести соответствующую лицензию. Естественно, все эти дополнительныерасходы на производство отразятся на конечном пользователе, т. е. на нас свами (по некоторым данным, память Direct Rambus стоит в пять раз дорожеSDRAM). Помимо использования другой технологии, модули Direct Rambusиспользуют и более низкое рабочее напряжение по сравнению с DIMM (2,5 В вDirect Rambus против 3,3 В в SDRAM). Что нас ждет в новом году? В заключении подведем некоторые итоги. Прошедший год был богатразличными событиями в компьютерной индустрии, но одним из главных событийстал выход чипсета Intel 820, а с ним и многих новых типов памяти. Борьба за различные сферы производства будет продолжаться. Мыпосмотрим, сможет ли Rambus вытеснить с рынка памяти модули SDRAM и имподобные. Также интересно будет следить за борьбой Intel и AMD на рынкепроцессоров Изучение цен и спроса на оперативную память за последний год Исследование проводилось в городе Владивостоке. В качестве объектовисследования были выбраны модули оперативной памяти, имеющиеся в свободнойпродаже на рынке. Было определено пять основных типов RAM микросхем (SDRAMDIMM 32 MB
, SDRAM DIMM 64 MB
, SDRAM DIMM 128 MB
,SDRAM DIMM 64 MB
, SDRAM DIMM 128 MB
), которые на данныймомент в набольшей степени соответствовали запросам среднего покупателя(пользователя) По этой причине не брались модули SIMM и более старые чипы(которые уже не производятся и не имеют спроса), а также самые новыеразработки – RDRAM, Direct RamBus, так как они поступают на наш рынок вограниченных количествах, имеют незначительный спрос и потому не даютобъективной картины в целом. За основу исследования были взяты прайс-листыкомпьютерных компаний города (названия в разделе Список использованнойлитературы). На основе этих данных была составлена следующая таблица. По таблице были построены графики изменения цен по каждому из модулей. Для получения более ясной картины нужно сравнить их между собой:построим общий график для всех модулей. Заметим, что все графики примерно одинаково возрастают и убывают. Этодоказывает правильность моего исследования: цена на оперативную память, каки на любой другой товар, не постоянна и подвержена колебаниям вследствиемножества причин. Сразу надо оговориться, что цены на RAM микросхемы имееттенденцию к снижению. Связано это в первую очередь с общим развитиемкомпьютерных технологий, появляются новые разработки, а цены на старыепадают. Падение цен на модули оперативной памяти, начавшееся в середине 1999г.продолжилось и в первые месяцы 2000г (кривые на графике убывают с января поапрель). Затем наступает стабилизация (апрель – май). Это связано спредстоящим традиционным летним подорожанием (июнь – август). После ценыопять начинают планомерно снижаться в свете общего понижения стоимостикомпьютерных комплектующих (август – ноябрь), цены падают низко как никогда(до $21 за DIMM 32 MB). Затем опять идет скачок верх (ноябрь – декабрь), ив перспективе цены, на мой взгляд, будут продолжать расти. Относительно спроса на оперативную память можно сказать, что онзависит от цены в данный момент, но не полной степени определяется им.Можно утверждать, что потенциальные покупатели готовы к изменению цены в туили другую сторону и рассчитывают свои будущие покупки исходя из этого. Мои окончательные выводы таковы: рынок оперативной памяти подвержентаким же экономическим процессам, как и рынок любого другого товара. Ценана микросхемы склона к понижению, но постоянно колеблется, что связано какс экономическими (повышение налогов, например), так и с не экономическими(сезонность товара, ожидания потребителей) причинами. Список использованной литературы: 1. Фигурнов В.Э «IBM PC для пользователя» Издание 7-ое. Москва, Инфра- М, 1998г. 2. Рорбоу Л «Модернизация вашего ПК». Москва, Диалектика, 1997г. 3. www.megaplus.ru, www.zdnet.ru, www.izcity.com - виды и типы оперативной памяти 4. Жарков С. «Оперативная память». www.info.rambler.ru. 5. Прайс-листы за 2000г. компьютерных компаний Владивостока: . «Владтехно» . «Информационные системы» . «ДНС» . «Чайка» . «Навигатор» -----------------------[pic][pic][pic][pic][pic][pic][pic]- 3- 3- 4- 5- ???????????????????????????????????5 - 7 - 7 - 8 - 8 - 9 - 9 - 10- 10- 11- 12- 13- 14- 14- 16




Нажми чтобы узнать.

Похожие:

Оперативная память. Исследование рынка оперативной памяти iconПамять компьютера. Внутренняя память. Оперативная память
В состав внутренней памяти входят оперативная память, кэш-память и постоянная память
Оперативная память. Исследование рынка оперативной памяти icon5Организация памяти микропроцессорных систем
Память – это часть вычислительной системы, которая предназ­на­чена для хранения команд и данных. Системы памяти компьютерных систем...
Оперативная память. Исследование рынка оперативной памяти iconГибкие магнитные диски
В отличие от оперативной памяти, внешняя память не имеет прямой связи с процессором. Информация от взу к процессору и наоборот циркулирует...
Оперативная память. Исследование рынка оперативной памяти iconПамять. Виды памяти. Объем памяти студентки факультета психологии группы №182 Морозовой Екатерины Москва,2002 год. Классик французской психологии Пьер Жане сказал: «Память — этопреодоление отсутствия». Наш современник — российский психолог Г. К. Середадал такое определение: «Память — это психический

Оперативная память. Исследование рынка оперативной памяти iconОперативная память

Оперативная память. Исследование рынка оперативной памяти iconСценарий литературно-музыкального вечера и на южной вызженной земле спят тревожно русские солдаты песня: Голубые Береты «Память». Ведущий
Они хотят быть нужными правде и памяти. Именно памяти, потому что живы те, кто воевал в Афганистане, Чечне, других «горячих точках»....
Оперативная память. Исследование рынка оперативной памяти iconЛекция. Тема: «Устройства памяти компьютера»
Процессор компьютера может работать только с теми данными, которые хранятся в ячейках его оперативной памяти
Оперативная память. Исследование рынка оперативной памяти iconВведение Что мы знаем и чего не знаем о памяти
Настоящим. Тем не менее настоящие —это продолжение прошлого, оно вырастает из прошлого и формируется им благодаря памяти. Именно...
Оперативная память. Исследование рынка оперативной памяти iconВнешняя память компьютера Введение
В качестве таких носителей используют магнитные, оптические, магнитооптические и другие. Скорость обращения к данным у них в тысячи...
Оперативная память. Исследование рынка оперативной памяти iconКурсовая работа внешняя память
В качестве таких носителей используют магнитные, оптические, магнитооптические и другие. Скорость обращения к данным у них в тысячи...
Разместите кнопку на своём сайте:
Документы


База данных защищена авторским правом ©rushkolnik.ru 2000-2015
При копировании материала обязательно указание активной ссылки открытой для индексации.
обратиться к администрации
Документы