Сравнительная характеристика модулей памяти simm и dimm icon

Сравнительная характеристика модулей памяти simm и dimm



НазваниеСравнительная характеристика модулей памяти simm и dimm
Дата конвертации06.08.2012
Размер241.55 Kb.
ТипРеферат
Сравнительная характеристика модулей памяти SIMM и DIMM


ПланВведение 2Типы оперативной памяти 3 Память типа DRAM 6 Режим FPM динамической оперативной памяти 8 EDO 9 SDRAM 10 Enhanced SDRAM (ESDRAM) 12 DDR SDRAM (SDRAM II) 12 SLDRAM 13 RDRAM (Rambus DRAM) 13 Память типа SRAM 14Разъемы SIMM и DIMM 17 Производители чипов 20Увеличение объема памяти. 22Заключение 26Список литературы 27 Введение В этом реферате будет рассмотрена оперативная память как с логической,так и с физической точек зрения. В ней будут описаны микросхемы и модулипамяти, которые можно установить в компьютере. Оперативная память является одним из важнейших элементов компьютера.Именно из нее процессор берет программы и исходные данные для обработки, внее он записывает полученные результаты. Название «оперативная» эта памятьполучила потому, что она работает очень быстро, так что процессорупрактически не приходится ждать при чтении данных из памяти или записи впамять. Однако содержащиеся в ней данные сохраняются только пока компьютервключен или до нажатия кнопки сброса (reset). При выключении компьютерасодержимое оперативной памяти стирается. Поэтому перед выключением илинажатием кнопки сброса все данные, подвергнутые во время работы изменениям,необходимо сохранить на запоминающем устройстве. При новом включениипитания сохраненная информация вновь может быть загружена в память. Часто для оперативной памяти используют обозначение RAM (Random AccessMemory, то есть память с произвольным доступом). Это означает, чтообращение к данным, хранящимся в оперативной памяти, не зависит от порядкаих расположения в памяти. Когда говорят о памяти компьютера, обычноподразумевают оперативную память, прежде всего микросхемы памяти илимодули, в которых хранятся активные программы и данные, используемыепроцессором. Это, и многое другое будет рассматриваться далее. Типы оперативной памяти Оперативная память (RAM, Random Access Memory, память произвольногодоступа) - это энергозависимая среда, в которую загружаются и в которойнаходятся прикладные программы и данные в момент, пока вы с ними работаете.Когда вы заканчиваете работу, информация удаляется из оперативной памяти.Если необходимо обновление соответствующих дисковых данных, ониперезаписываются. Это может происходить автоматически, но часто требуеткоманды от пользователя. При выключении компьютера вся информация изоперативной памяти теряется. В связи с этим трудно недооценить все значение оперативной памяти.Однако до недавнего времени эта область компьютерной индустрии практическине развивалась (по сравнению с другими направлениями). Взять хотя бы видео,аудиоподсистемы, производительность процессоров и. т. д. Усовершенствованиябыли, но они не соответствовали темпам развития других компонентов икасались лишь таких параметров, как время выборки, был добавлен кэшнепосредственно на модуль памяти, конвейерное исполнение запроса, измененуправляющий сигнал вывода данных, но технология производства оставаласьпрежней, исчерпавшей свой ресурс.
Память становилась узким местомкомпьютера, а, как известно, быстродействие всей системы определяетсябыстродействием самого медленного ее элемента. И вот несколько лет назадволна технологического бума докатилась и до оперативной памяти. Быстроеусовершенствование оперативной памяти позволило кроме ееусовершенствования, значительно снизить цену на нее. Хотя память значительно подешевела, модернизировать приходится еенамного чаще, чем несколько лет назад. В настоящее время новые типы памятиразрабатываются намного быстрее, и вероятность того, что в новые компьютерынельзя будет устанавливать память нового типа, как никогда велика. От количества установленной в компьютере оперативной памяти напрямуюзависит возможность, какими программами вы сможете на нем работать. Принедостаточном количестве оперативной памяти многие программы либо вовсе небудут работать, либо станут работать крайне медленно. Можно привестиследующую приблизительную классификацию возможностей компьютера, взависимости от объема оперативной памяти: . 1 Мбайт и менее - на компьютере возможна работа только в среде DOS. Такие компьютеры можно использовать для корректировки текстов или ввода данных; . 4 Мбайта - на компьютере возможна работа в среде DOS, Windows 3.1 и Windows for Workgroups. Работа в DOS вполне комфортна, а в Windows - нет: некоторые Windows-программы при таком объеме памяти не работают , а некоторые позволяют обрабатывать лишь небольшие и несложные документы. Одновременный запуск нескольких Windows-программ также может быть затруднен; . 8 Мбайт - обеспечивается комфортная работа в среде Windows 3.1, Windows for Workgroups, при этом дальнейшее увеличение объема оперативной памяти уже практически не повышает быстродействие для большинства офисных приложений. Использование более новых операционных систем, как Windows 95 и OS/2 Warp, в принципе возможно, но работать они будут явно медленно; 16 Мбайт - обеспечивается комфортная работа в операционных системах Windows 95 и OS/2, причем дальнейшее увеличение объема оперативной памяти уже практически не повышает быстродействие при выполнении большинства офисных приложений. Возможно использование Windows NT, хотя ей не помешает добавить еще 8-16 Мбайт; . 32 Мбайта и более - такой объем оперативной памяти может требоваться для серверов локальных сетей, компьютеров, используемых для обработки фотоизображений или видеофильмов, и в некоторых других приложениях. Полезен он может быть и для компьютеров, работающих под управлением ОС Windows NT. Всю память с произвольным доступом (RAM) можно разделить на два типа:1. DRAM (динамическая RAM)2. SRAM (статическая RAM). Причем независимо от типа оперативная память ЭВМ является адресной.Это значит, что каждой, хранимой в памяти единице информации ставится всоответствие специальное число, а именно адрес, определяющий место егохранения в памяти. В современных ЭВМ различных типов, как правило,минимальной адресуемой единицей информации является байт (8-ми разрядныйкод). Более крупные единицы информации - это слово и производные: двойноеслово, полуслово и т. д. (образуется из целого числа байт). Обычно словосоответствует формату данных, наиболее часто встречающихся в данной машинев качестве операндов. Часто формат слова соответствует ширине выборке изосновной памяти Существуют несколько методов организации оперативной памяти: 1) Метод строк/колонок (Row/column) . При данном методе адресации ОП,последняя представляет собой матрицу разделенную на строки и колонки. Приобращении к ОП одна часть адреса определяет строку, а другая - колонкуматрицы. Ячейка матрицы, оказавшаяся на пересечении выбранных строки иколонки считывается в память или обновляется ее содержимое. 2) Метод статических колонок (Static-column) . При данном методеадресации ОП информация, относящаяся к какой-либо программе, размещается вопределенной колонке. Последующее обращение к данной программе происходит вту же самую колонку. За счет статичности части адреса (ее не надопередавать по адресной шине) доступ к данным осуществляется быстрее. 3) Метод чередования адресов (Interleaved) , который впервые сталприменяться в 386 моделях АТ компьютерах. Данный метод предполагаетсчитывание (или запись) информации не по одному, а сразу по несколькимадресам: i, i+1, i+2 и т.д. Количество одновременно опрашиваемых адресов,по которым происходит считывание информации, определяет кратностьчередования адресов, что соответствует количеству блоков ОП. На практикеобычно используется 2-х или 4-х кратное чередование адресов, т.е. ОПделится на 2 или 4 блока.Запись информации в блоки осуществляетсянезависимо друг от друга. Информация по адресу i хранится в первом блоке,по адресу i+1 - во втором блоке и т.д. Считываемая с блоков информациядалее переписывается в кэш-память для последующей переработки. 4) Метод страничной организации (Page-mode) . При данном методеорганизации память адресуется не по байтам, а по границам страниц. Размерстраницы обычно равен 1 или 2 Кбайта. Данный метод предполагает наличие всистеме кэш-памяти емкостью не менее 128 Кб куда предварительно считываютсятребуемые страницы ОП для последующей переработки МП или другимустройством. Обновленная информация периодически из кэш-памяти сбрасываетсяв ОП. Последние два метода системной организации памяти предполагаютобязательное наличие в системе сверх быстродействующей кэш-памяти дляопережающего (read-ahaed) чтения в нее информации из ОП с последующейобработкой ее микропроцессором, что снижает время простоя последнего иповышает общую производительность системы. Память типа DRAM Динамическая оперативная память ( Dynamic RAM – DRAM) используется вбольшинстве систем оперативной памяти персональных компьютеров. Основноепреимущество этого типа памяти состоит в том, что ее ячейки упакованы оченьплотно, т.е. в небольшую микросхему можно упаковать много битов, а заначит,на их основе можно построить память большей емкости. Ячейки памяти в микросхеме DRAM – это крошечные конденсаторы, которыеудерживают заряды. Проблемы, связанные с памятью этого типа, вызваны тем,что она динамическая, т.е. должна постоянно регенерироваться, так как впротивном случае электрические заряды в конденсаторах памяти будут“стекать”, и данные будут потеряны. Регенерация происходит, когдаконтроллер памяти системы берет крошечный перерыв и обращается ко всемстрокам данных в микросхемах памяти. Большинство систем имеет контроллерпамяти ( обычно встраиваемый в набор микросхем системной платы), которыйнастроен на соответствующую промышленным стандартам частоту регенерации,равную 15 мкс. Регенерация памяти, к сожалению, “отнимает время” у процессора: каждыйцикл регенерации по длительности занимает несколько циклов центральногопроцессора. В старых компьютерах циклы регенерации могли занимать до 10%процессорного времени, но в современных системах, расходы на регенерациюсоставляют 1% (или меньше) процессорного времени. Некоторые системыпозволяют изменить параметры регенерации с помощью программы установкипараметров CMOS, но увеличение времени между циклами регенерации можетпривести к тому, что в некоторых ячейках памяти заряд “стечет”, а этовызовет сбой памяти. В большинстве случаев надежнее придерживатьсярекомендуемой или заданной по умолчанию частоты регенерации. В устройствах DRAM для хранения одного бита используется только одинтранзистор и пара конденсаторов, поэтому они более вместительны, чеммикросхемы других типов памяти. Транзистор для каждого однозарядногорегистра DRAM использует для чтения состояния смежного конденсатора. Есликонденсатор заряжен, в ячейке записана 1; если заряда нет – записан 0.Заряды в крошечных конденсаторах все время стекают, вот почему памятьдолжна постоянно регенерироваться. Даже мгновенное прерывание подачипитания или какой-нибудь сбой в циклах регенерации приведет к потере зарядав ячейке DRAM, а следовательно, к потере данных. Сейчас уже не актуально использовать 66-МГц шины памяти. РазработчикиDRAM нашли возможность преодолеть этот рубеж и извлекли некоторыедополнительные преимущества путем осуществления синхронного интерфейса. С асинхронным интерфейсом процессор должен ожидать, пока DRAM закончитвыполнение своих внутренних операций, которые обычно занимают около 60 нс.С синхронным управлением DRAM происходит защелкивание информации отпроцессора под управлением системных часов. Триггеры запоминают адреса,сигналы управления и данных, что позволяет процессору выполнять другиезадачи. После определенного количества циклов данные становятся доступны, ипроцессор может считывать их с выходных линий. Другое преимущество синхронного интерфейса заключается в том, чтосистемные часы задают только временные границы, необходимые DRAM. Этоисключает необходимость наличия множества стробирующих импульсов. Врезультате упрощается ввод, т. к. контрольные сигналы адреса данных могутбыть сохранены без участия процессора и временных задержек. Подобныепреимущества также реализованы и в операциях вывода.Режим FPM динамической оперативной памяти Чтобы сократить время ожидания, стандартная память DRAM разбивается настраницы. Обычно для доступа к данным в памяти требуется выбрать строку истолбец адреса, что занимает некоторое время. Разбиение на страницыобеспечивает более быстрый доступ ко всем данным в пределах данной строкипамяти, то есть изменяет не номер строки, а номер столбца. Такой режимдоступа к данным памяти называется (быстрым) постраничным режимом ( FastPage Mode), а сама память – памятью Fast Page Mode. Другие вариациипостраничного режима называются Static Column или Nibble Mode. Старничная организация памяти – простая схема повышения эффективностипамяти, в соответствии с которой память разбивается на страницы длиной от512 байт до нескольких килобайтов. Электронная схема пролистыванияпозволяет при обращении к ячейкам памяти в пределах страницы уменьшитьколичество состояний ожидания. Если нужная ячейка памяти находится внетекущей страницы, то добавляется одно или больше состояний ожидания, таккак система выбирает новую страницу. Чтобы увеличить скорость доступа к памяти, были разработаны другиесхемы доступа к динамической оперетивной памяти. Одним из наиболеесущественных изменений было внедрение пакетного (burst) режима доступа впроцессоре 486 и более поздних. Преимущества пакетного режима доступапроявляется в потому, что в большинстве случаев доступ к памяти являетсяпоследовательным. После установки строки и столбца адреса в пакетном режимеможно обращаться к следующим трем смежным адресам без дополнительныхсостояний ожидания. К первому поколению высокоскоростных DRAM главным образом относят EDODRAM, SDRAM и RDRAM, а к следующему - ESDRAM, DDR SDRAM, Direct RDRAM,SLDRAM (ранее SynchLink DRAM) и т. д. Рассмотрим некоторые из этих типов оперативной памяти.EDO Начиная с 1995 года, в компьютерах на основе Pentium используетсяновый тип оперативной памяти – EDO ( Extended Data Out). Этоусовершенствованный тип памяти FPM; его иногда называют Hyper Page Mode.Память типа EDO была разработана и запатентована фирмой Micron Tehnology.Память EDO собирается из специально изготовленных микросхем, которыеучитывают перекрытие синхронизации между очередными операциями доступа.Как следует из названия – Etended Data Out, драйвера вывода данных намикросхеме, в отличии от FPM, не включаются, когда контроллер памятиудаляет столбец адреса в начале следующего цикла. Это позволяет совместить(по времени) следующий цикл с предыдущим, экономя примерно 10 нс в каждомцикле. Таким образом, контроллер памяти EDO может начать выполнение новойкоманды выборки столбца адреса, а данные будут считываться по текущемуадресу. Это почти идентично использованию различных банков для чередованияпамяти, но в отличии от чередования, не нужно одновременно устанавливатьдва идентичных банка памяти в системе.SDRAM SDRAM ( Synchronous DRAM ) – это тип динамической оперативной памятиDRAM , работа которой синхронизируется с шиной памяти. SDRAM передаетинформацию в высокоскоростных пакетах, Использующих высокоскоростнойсинхронизированный интерфейс. SDRAM позволяет избежать использованиябольшинства циклов ожидания, необходимых при работе асинхронной DRAM,поскольку сигналы, по которым работает память такого типа,синхронизированны с тактовым генератором системной платы. SDRAM способна работать на частоте, превышающей частоту работы EDODRAM. В первой половине 1997 г. SDRAM занимала примерно 25% всего рынкаDRAM. Как и предполагалось, к 1998 г. она стала наиболее популярной изсуществующих высокоскоростных технологий и занимала более 50% рынка памяти.Первоначально SDRAM работала на частоте от 66 до 100 МГц. Сейчас существуетпамять, работающая на частотах от 125 до 143 МГц и даже выше. Следующим преимуществом SDRAM перед EDO заключается в том, что EDO неработает на частотах свыше 66 МГц, а SDRAM доступна частота шины памяти до100 МГц. Выпустив чипсет 440BX с официальной поддержкой тактовой частотысистемной шины до 100 МГц, Intel сделала оговорку, что модули памяти SDRAMнеустойчиво работают на такой скорости. После заявления Intel представилановую спецификацию, описывающую все тонкости, - SDRAM PC100. Спецификация PC100. Ключевые моменты . Определение минимальной и максимальной длины пути для каждого сигнала в модуле. . Определение ширины дорожек и расстояния между ними. . 6-слойные платы с отдельными сплошными слоями масса и питание. . Детальная спецификация расстояний между слоями. . Строгое определение длины тактового импульса, его маршрутизации, момента начала и окончания. . Подавляющие резисторы в цепях передачи данных. . Детальная спецификация компонента SDRAM. Модули должны содержать чипы памяти SDRAM, совместимые с Intel SDRAM Component SPEC (version 1.5). Данной спецификации отвечают только 8-нс чипы, а 10-нс чипы, по мнениюIntel, неспособны устойчиво работать на частоте 100 МГц. . Детальная спецификация программирования EEPROM. Модуль должен включать интерфейс SPD, совместимый с Intel SPD Component SPEC (version 1.2). . Особые требования к маркировке. . Подавление электромагнитной интерференции. . Местами позолоченные печатные платы. Введение стандарта PC100 в некоторой степени можно считать рекламнойуловкой, но все известные производители памяти и системных плат поддержалиэту спецификацию, а с появлением следующего поколения памяти переходят наего производство. Спецификация PC100 является очень критичной, одно описание сдополнениями занимает больше 70 страниц. Для комфортной работы с приложениями, требующими высокогобыстродействия, разработано следующее поколение синхронной динамическойпамяти - SDRAM PC133. В продаже можно найти модули, поддерживающие этуспецификацию, причем цена на них превышает цены соответствующих моделейPC100 на 10-30%. Насколько это оправдано, судить довольно сложно.Продвижением данного стандарта на рынок занимается уже не Intel, а ихглавный конкурент на рынке процессоров AMD. Intel же решила поддерживатьпамять от Rambus, мотивируя это тем, что она лучше сочетается с шиной AGP4x. 133-МГц чипы направлены на использование с новым семействоммикропроцессоров, работающих на частоте системной шины 133 МГц, и полностьюсовместимы со всеми PC100-продуктами. Такими производителями, как VIATechnologies, Inc., Acer Laboratories Inc. (ALi), OPTi Inc., SiliconIntegrated Systems (SiS) и Standard Microsystems Corporation (SMC),разработаны чипсеты, поддерживающие спецификацию PC133. Недавно появилась еще одна интересная технология - Virtual ChannelMemory. VCM использует архитектуру виртуального канала, позволяющую болеегибко и эффективно передавать данные с использованием каналов регистра начипе. Данная архитектура интегрирована в SDRAM. VCM, помимо высокойскорости передачи данных, совместима с существующими SDRAM, что позволяетделать апгрейд системы без значительных затрат и модификаций. Это решениетакже нашло поддержку у некоторых производителей чипсетов.Enhanced SDRAM (ESDRAM) Для преодоления некоторых проблем с задержкой сигнала, присущихстандартным DRAM-модулям, производители решили встроить небольшоеколичество SRAM в чип, т. е. создать на чипе кэш. Одним из таких решений,заслуживающих внимания, является ESDRAM от Ramtron InternationalCorporation. ESDRAM - это по существу SDRAM плюс немного SRAM. При малой задержке ипакетной работе достигается частота до 200 МГц. Как и в случае внешней кэш-памяти, DRAM-кэш предназначен для хранения наиболее часто используемыхданных. Следовательно, уменьшается время доступа к данным медленной DRAM.DDR SDRAM (SDRAM II) DDR SDRAM (Double Date Rate SDRAM) является синхронной памятью,реализующей удвоенную скорость передачи данных по сравнению с обычнойSDRAM. DDR SDRAM не имеет полной совместимости с SDRAM, хотя использует методуправления, как у SDRAM, и стандартный 168-контактный разъем DIMM. DDRSDRAM достигает удвоенной пропускной способности за счет работы на обеихграницах тактового сигнала (на подъеме и спаде), а SDRAM работает только наодной.SLDRAM Стандарт SLDRAM является открытым, т. е. не требует дополнительнойплаты за лицензию, дающую право на производство чипов, что позволяетснизить их стоимость. Подобно предыдущей технологии, SLDRAM использует обеграницы тактового сигнала. Что касается интерфейса, то SLDRAM перенимаетпротокол, названный SynchLink Interface. Эта память стремится работать начастоте 400 МГц. У всех предыдущих DRAM были разделены линии адреса, данных иуправления, которые накладывают ограничения на скорость работы устройств.Для преодоления этого ограничения в некоторых технологических решениях всесигналы стали выполняться на одной шине. Двумя из таких решений являютсятехнологии SLDRAM и DRDRAM. Они получили наибольшую популярность изаслуживают внимания. RDRAM (Rambus DRAM) RDRAM представляет спецификацию, созданную Rambus, Inc. Частота работыпамяти равна 400 МГц, но за счет использования обеих границ сигналадостигается частота, эквивалентная 800 МГц. Спецификация Rambus сейчаснаиболее интересна и перспективна. Direct Rambus DRAM - это высокоскоростная динамическая память спроизвольным доступом, разработанная Rambus, Inc. Она обеспечивает высокуюпропускную способность по сравнению с большинством других DRAM. DirectRambus DRAMs представляет интегрированную на системном уровне технологию. Технология Direct Rambus представляет собой третий этап развитияпамяти RDRAM. Впервые память RDRAM появилась в 1995 г., работала на частоте150 МГц и обеспечивала пропускную способность 600 Мбайт/с. Онаиспользовалась в станциях SGI Indigo2 IMPACTtm, в приставках Nintendo64, атакже в качестве видеопамяти. Следующее поколение RDRAM появилось в 1997 г.под названием Concurrent RDRAM. Новые модули были полностью совместимы спервыми. Но за год до этого события в жизни компании произошло не менеезначимое событие. В декабре 1996 г. Rambus, Inc. и Intel Corporationобъявили о совместном развитии памяти RDRAM и продвижении ее на рынокперсональных компьютеров. Сейчас стали появляться новые типы RAM микросхем и модулей.Встречаются такие понятия, как FPM RAM, EDO RAM, DRAM, VRAM, WRAM, SGRAM,MDRAM, SDRAM, SDRAM II (DDR SDRAM), ESDRAM, SLDRAM, RDRAM, ConcurrentRDRAM, Direct Rambus. Большинство из этих технологий используются лишь награфических платах, и в производстве системной памяти компьютераиспользуются лишь некоторые из них. Память типа SRAM Существует тип памяти, совершенно отличный от других, - статическаяоперативная память (Static RAM – SRAM). Она названа так потому, что, вотличии от динамической оперативной памяти , для сохранения ее содержимогоне требуется переодической регенерации. Но это не единственное еепреимущество. SRAM имеет более высокое быстродействие, чем динамическаяоперативная память, и может работать на той же частоте, что и современныепроцессоры. Время доступа SRAM не более 2 нс, это означает, что такая память можетработать синхронно с процессорами на частоте 500 МГц или выше. Однако дляхранения каждого бита в конструкции SRAM используется кластер из 6транзисторов. Использование транзисторов без каких либо конденсаторовозначает, что нет необходимости в регенерации. Пока подается питание, SRAMбудет помнить то, что сохранено. Микросхемы SRAM не используются для всей системной памяти потому, чтопо сравнению с динамической оперативной памятью быстродействие SRAM намноговыше, но плотность ее намного ниже, а цена довольно высокая. Более низкаяплотность означает, что микросхемы SRAM имеют большие габариты, хотя ихинформационная емкость намного меньше. Большое число транзисторов икластиризованное их размещение не только увеличивает габариты SRAM, но изначительно повышает стоимость технологического процесса по сравнению саналогичными параметрами для микросхем DRAM. Несмотря на это, разработчики все-таки применяют память типа SRAM дляповышения эффективности РС. Но во избежание значительного увеличениястоимости устанавливается только небольшой объем высокоскоростной памятиSRAM, которая используется в качестве кэш-памяти. Кэш-память работает натактовых частотах, близких или даже равных тактовым частотам процессора,причем обычно именно эта память используется процессором при чтении изаписи. Во время операции чтения данные в высокоскоростную кэш-памятьпредварительно записываются из оперативний памяти с низким быстродействием,то есть из DRAM. Поэтому именно кэш-память позволяет сократить количество“простоев” и увеличить быстродействие компьютера в целом. Эффективность кэш-памяти выражается коэффициентом совпадения, иликоэффициентом успеха. Коэффициент совпадения равен отношению количестваудачных обращений в кэш к общему количеству обращений. Попадание – этособытие состоящее в том, что необходимые процессору данные предварительносчитываются в кэш из оперативной памяти; иначе говоря, в случае попаданияпроцессор может считывать данные из кэш-памяти. Неудачным обращением в кэшсчитается такое, при котором контроллер кэша не предусмотрел потребности вданных, находящихся по указанному абсолютному адресу. В таком случаенеобходимые данные не были предваритель считаны в кэш-память, поэтомупроцессор должен отыскать их в более медленной оперативной памяти, а не вбыстродействующем кэше. Чтобы минимизировать время ожидания при считывании процессором данныхиз медленной оперативной памяти, в современных персональных компьютерахобычно предусмотрены два типа кэш-памяти: кэш-память первого уровня (L1) икэш-память второго уровня (L2). Кэш-память первого уровня также называетсявстроенным, или внутренним кэшем; он непосредственно встроен в процессор ифактически является частью микросхемы процессора. Кэш-память второго уровня называется вторичным, или внешним кэшем; онустанавливается вне микросхемы процессора. Первоначально кэш-память проектировадлась как асинхронная, то есть небыла синхронизирована с шиной процессора и могла работать на другойтактовой частоте. При внедрении набора микросхем системной логики 430FX вначале 1995 года был разработан новый тип синхронной кэш-памяти. Онаработает синхронно с шиной процессора, что повышает ее быстродействие иэффективность. В то же время был добавлен режим pipeline burst mode(конвеерный монопольный режим). Он позволил сократить время ожидания засчет уменьшения количества состояний ожидания после первой передачи данных.Использование одного из этих режимов подразумевает наличие другого. Разъемы SIMM и DIMM В большинстве современных компьютеров вместо отдельных микросхем памятииспользуются модули SIMM или DIMM, представляющие собой небольшие платы,которые устанавливаются в специальные разъемы на системной плате или платепамяти. Отдельные микросхемы так припаены к плате модуля SIMM или DIMM, чтовыпаить и заменить их практически невозможно. При появлении неисправностиприходится заменять весь модуль. По существу, модуль SIMM или DIMM можносчитать одной большой микросхемой. Аббревиатура SIMM расшифровывается как Single Inline Memory Module(Модуль памяти с однорядным расположением выводов). Модули SIMM могут иметь объем 256 Кбайт, 1, 2, 4, 8, 16 и 32 Мбайт.Соединение SIMM-модулей с системной платой осуществляется с помощьюколодок. Модуль вставляется в пластмассовую колодку под углом 70 — градусов, апотом зажимается пластмассовым держателем. При этом плата встаетвертикально. Специальные вырезы на модуле памяти не позволит поставить ихнеправильным образом. Модули SIMM для соединения с системной платой имеют не штырьки, апозолоченные полоски (так называемые pin, пины). SIMM-модули в своем развитии прошли два этапа. Первыми представителямиSIMM-модулей были 30-пиновые SIMM FPM DRAM. Их максимальная частота работы— 29 МГц. Стандартным же временем доступа к памяти считалось 70 нс. Этимодули уже с трудом работали на компьютерах с микропроцессорами i80486DX2,и были вытеснены сначала 72-пиновыми FPM DRAM, а затем EDO RAM. SIMM EDO RAM имеют только 72 пина и могут работать на частоте до 50МГц. Этими модулями памяти оснащались компьютеры с процессорами Intel80486DX2/DX4, Intel Pentium, Pentium Pro и Pentium MMX, а также AMD 80586 иK5. Эти модули устанавливались на платах с чипсетом Intel 440TX, 440EX,440LX, 450NX; VIаApollo MVP 3/4, Pro/Pro+; ALI Alladin 4/4+/V/PRO II, ALIAlladin TNT2. В настоящее время SIMM-модули, как 30-pin, так и 72-pin неудовлетворяют по своим характеристикам требованиям новых шин и процессоров.Поэтому они все активнее заменяются модулями DIMM. 72-пиновые разъемы SIMM ожидает та же участь, которая несколькимигодами раньше постигла их 30-пиновых предшественников: те уже давно непроизводятся. Им на смену в 1996 г. пришел новый разъем DIMM со 168контактами, а сейчас появляется еще разъем RIMM. Если на SIMMреализовывались FPM и EDO RAM, то на DIMM - более современная технологияSDRAM. В системную плату модули SIMM необходимо было вставлять толькопопарно, а DIMM можно выбрать по одному, что связано с разрядностью внешнейшины данных процессоров Pentium. Такой способ установки предоставляетбольше возможностей для варьирования объема оперативной памяти. Аббревиатура DIMM расшифровывается как Dual Inline Memory Module(Модуль памяти с двойным расположением выводов). В модуле DIMM имеетс 168контактов, которые расположены с двух сторон платы и разделены изолятором.Также изменились и разъемы для DIMM-модулей. Следует отметить, что разъем DIMM имеют много разновидностей DRAM. Ктому же вплоть до последнего времени модули DIMM не имели средствсамоконфигурирования (в отличие от SIMM-модулей). Поэтому для облегчениявыбора нужного модуля пользователям на материнских платах разные типы DIMMимеют от одного до трех вырезов на модуле памяти. Они предотвращают отнеправильного выбора и неправильной установки модулей памяти. Первоначально материнские платы поддерживали оба разъема, но ужедовольно продолжительное время они комплектуются исключительно разъемамиDIMM. Это связано с упомянутой возможностью устанавливать их по одномумодулю и тем, что SDRAM обладает большим быстродействием по сравнению с FPMи EDORAM. Если для FPM и EDO памяти указывается время чтения первой ячейки вцепочке (время доступа), то для SDRAM указывается время считыванияпоследующих ячеек. Цепочка - несколько последовательных ячеек. Насчитывание первой ячейки уходит довольно много времени (60-70 нс)независимо от типа памяти, а вот время чтения последующих сильно зависит оттипа. В качестве оперативной памяти также используются модули RIMM, SO-DIMM иSO-RIMM. Все они имеют разное количество контактов. Модули SIMM сейчасвстречаются только в старых моделях материнских плат, а им на смену пришли168-контактные DIMM. Модули SO-DIMM и SO-RIMM, имеющие меньшее количествоконтактов, чем стандартные DIMM и RIMM, широко используются в портативныхустройствах. Модули RIMM можно встретить в платах на новом чипсете Intel840. При установке совпадение форм-факторов модуля и разъема не всегдастопроцентно гарантирует работоспособность модуля. Для сведения к минимумуриска использования неподходящего устройства применяются так называемыеключи. В модулях памяти такими ключами являются один или несколько вырезов.Этим вырезам на разъеме соответствуют специальные выступы. Так в модуляхDIMM используется два ключа. Один из них (вырез между 10 и 11 контактами)отвечает за буферизованность модуля (модуль может быть буферизованным илинебуферизованным), а второй (вырез между 40 и 41 контактами) - за рабочеенапряжение (может быть 5 В или 3,3 В). Использование модулей памяти с покрытием контактов, отличным отпокрытия контактов разъема также допускается. Хотя утверждают, чтоматериал, используемый для покрытия модулей и разъемов, должен совпадать.Мотивируется это тем, что при различных материалах возможно появлениегальванической коррозии, и, как следствие, разрушение модуля. Хотя такоемнение не лишено оснований, но, как показывает опыт, использование модулейи разъемов с разным покрытием никак не сказывается на работе компьютера. Также не всегда бывает, что после установки в компьютер модуля SIMMбольшей емкости он нормально работает. Модули большой емкости можноиспользовать только в том случае, если их поддерживает системная плата.Допустимую емкость и необходимое быстродействие модулей SIMM можно выяснитьв документации к компьютеру. Производители чипов Существует много фирм, производящих чипы и модули памяти. Их можноразделить на brand-name и generic-производителей. При покупке (особенно на рынках) хорошо бы лишний раз убедиться вправильности предоставляемой продавцом информации (как говорится, доверяй,но проверяй). Произвести такую проверку можно расшифровав имеющуюся на чипестроку букв и цифр (как правило, самую длинную) с помощью соответствующегоdatabook и материалов, находящихся на сайте производителя. Но часто бывает,что необходимой информации не оказывается под рукой. И все же своей целиможно добиться, т. к. большинство производителей придерживаются более илименее стандартного вида предоставления информации (исключение составляютSamsung и Micron). По маркировке чипа можно узнать производителя, типпамяти, рабочее напряжение, скорость доступа, дату производства и др. В конце прошлого года после долгого ожидания появились первыесистемные платы на чипсете Intel 820, поддерживающие память Direct Rambus.Правда, в наших магазинах пока нельзя приобрести ни таких плат, ни память. Немаловажным вопросом при переходе на новую систему является еестоимость. При покупке системной платы на i820 скорее всего придетсяприобретать новую память, т. к. этот чипсет поддерживает DRDRAM. Технология производства DRDRAM не очень сильно отличается по стоимостиот производства SDRAM, но необходимо учесть, что стандарт RDRAM являетсязакрытым и, следовательно, чтобы производить эти чипы, фирма должнаприобрести соответствующую лицензию. Естественно, все эти дополнительныерасходы на производство отразятся на конечном пользователе (по некоторымданным, память Direct Rambus стоит в пять раз дороже SDRAM). Помимо использования другой технологии, модули Direct Rambusиспользуют и более низкое рабочее напряжение по сравнению с DIMM (2,5 В вDirect Rambus против 3,3 В в SDRAM). Увеличение объема памяти. Увеличение существующего объема памяти – один из наиболее эффективныхи дешевых способов модернизации. Первый вопрос, который возникает привыборе оперативной памяти – это какой объем нужен? В первую очередьнеобходимый объем оперативной памяти определяет операционная система. Самаяраспространенная на сегодняшний день операционная система это Windows’98.Для того чтобы данная система могла более-менее спокойно работать ейнеобходимо ~ 32Mb оперативной памяти. Плюс нужна память для запуска рабочихприложений. Получаем следующее – для нормальной работы в среде Windows’98необходимо 48Mb оперативной памяти. Если Вы будете играть в игры, то Вампотребуется от 64Mb до 128 Mb. В любом случае – оперативная память этоважнейший элемент всего PC, ее объем напрямую связан с быстродействием тогоили иного компьютера. Добавление памяти сравнительно недорогая операция. Кроме того, даженезначительное увеличение памяти может существенно повыситьпроизводительность компьютера. Добавить память в компьютер можно тремя способам: 1. Добавление памяти в свободные разъемы платы. 2. Замена установленной памяти, памятью большего объема. 3. Приобретение платы расширения памяти. Добавление дополнительной памяти в устаревшие РС- или ХТ- совместимыесистемы неэффективно, так как плата с двумя мегабайтами дополнительнойпамяти может стоить дороже всего компьютера. Кроме того данный тип памятибесполезен при использовании Windows, а компьютеры класса РС или ХТ несмогут работать под управлением OS2/, лучше приобрести более мощныйкомпьютер. Прежде чем добавлять в компьютер микросхемы памяти (или заменятьдефектные микросхемы), следует определить тип необходимых микросхемпамяти. Эта информация должна содержаться в документации к системе. Если необходимо заменить дефектную микросхему памяти и нет возможностиобратиться к документации, то тип установленных микросхем можно определитьпутем визуального их осмотра. На каждой микросхеме есть маркировка, котораяуказывает ее емкость и быстродействие. Если необходимо расширить вычислительные возможности системной платыыпутем добавления памяти, надо следовать указаниям фирмы – производителямикросхем памяти или модуля. В персональном компьютере могут использоватьсямикросхемы памяти DIP, SIMM, SIPP и DIMM, причем можно устанавливать модули как одного типа, так и нескольких. Производитель системной платы компьютера определяет, какие в нем будутиспользоваться микросхемы памяти: DIP, SIMM или DIMM. Используемые микросхемы памяти, независимо от их типа, образуют банкипамяти, т.е. совокупность микросхем, которые составляют блок памяти. Каждыйбанк считывается процессором за один такт. Банк памяти не станет работатьдо тех пор, пока небудет окончательно заполнен. В компьютерах на основе Pentium, Pentium Pro и Pentium II содержитсяот двух до четырех банков памяти, причем каждый состоит из 72-контактных(32- или 36-разрядных) модулей SIMM или одного 168-контактного модуля DIMM. Установка дополнительной памяти на системной плате – несложный способувеличить объем памяти компьютера. Большинство систем имеет хотя бы одиннезанятый банк памяти, в который можно установить дополнительную память, итаким образом повысить производительность компьютера. При установке или удалении памяти можно столкнуться со следующимипроблемами: V накопление электростатических зарядов; V повреждение выводов микросхем; V неправильно установленные модули SIMM и DIMM; V неправильное положение перемычек и переключателей. Чтобы предотвратить накопление электростатических зарядов приустановке чувствительных микросхем памяти или плат, не следует надеватьодежду из синтетических тканей или обувь на кожанной подошве. Надо удалитьвсе накопленные статические заряды, прикоснувшись к корпусу системы доначала работы, или, что еще лучше, надеть на запястье специальный браслет.Браслет представляет собой проводящий ремешек, соединенный проводом скорпусом компьютера. Чтобы заземлить корпус, не следует вынимать вилку изсети питания, а просто выключить компьютер. Сломанные или согнутые выводы служат другой причиной потенциальнойпроблемы, связанной с установкой микросхем DIP или модулей памяти SIPP.Иногда выводы на новых микросхемах изогнуты буквой V и их очень трудносовместить с соответствующими отверстиями разъема. Следует положить чип настол и мягко нажать на него, стараясь изогнуть выводы так, чтобы онирасположились под углом 90° к микросхеме. Каждая микросхема (или модуль памяти) должна быть установленасоответствующим образом. На одном конце микросхемы имеется маркировка.Гнездо микросхемы также может иметь соответствующую маркировку. Наконец, насистемной плате может быть указано, как правильно вставить микросхему. Поднебольшим углом следует осторожно вставить микросхему в гнездо, убедившись,что каждый вывод совпал с отверстием разъема, а затем давить на микросхемудо тех пор, пока она полностью не войдет в разъем, после чего, надавив накрая модуля , установить его вертикально. Ориентация модуля SIMM определяется вырезом, расположенным только содной стороны модуля. В гнезде есть выступ, который должен совпасть свырезом на одной стороне SIMM. Благодаря выступу установить модуль SIMM«наоборот» можно только в случае повреждения гнезда. Если на системнойплате нет никаких подсказок, надо обратиться к описанию системы. Подобно микросхемам SIMM, микросхемы DIMM имеют по краю ключи вырезы,которые смещены от центра так, чтобы микросхемы могли быть однозначноориентированы. Выталкиватель блокирует микросхему DIMM, когда она полностьювставлена. Некоторые разъемы DIMM имеют выталкиватели на обоих концах. Приустановке микросхемм SIMM и DIMM следует соблюдать осторожность, чтобы невдавливать модуль в разъем. Если модуль не проскакивает легко в разъем изатем не фиксируется на своем месте, значит, он неправильно ориентированили не выровнен. Если к модулю приложить значительное усилие, можно сломатьего или разъем. Если сломаны зажимы разъема, память не будет установлена насвоем месте. В этом случае возможны сбои памяти. Прежде чем устанавливать микросхемы или модули памяти, следуетубедиться, что питание системы отключено. Затем снять крышку компьютера ивсе установленные платы. Модули SIMM и DIMM легко становятся на место. Дляснятия модулей SIMM следует отогнуть зажимы и вытащить модуль из гнезда. После добавления микросхем памяти и сборки системы может понадобитьсяизменить параметры BIOS. После конфигурации системы необходимо запуститьпрограмму диагностики памяти. Это гарантирует стабильное функционированиеновой памяти. По крайней мере две или три программы диагностики памятибудут работать на всех системах. Имеются ввиду тест POST и программырасширенной диагностики. Заключение В этом реферате были рассмотрены типы памяти и их характеристикиразъемов SIMM и DIMM. В настоящее время SIMM-модули, как 30-pin, так и 72-pin неудовлетворяют по своим характеристикам требованиям новых шин и процессоров.Поэтому им на смену в 1996 г. пришел новый разъем DIMM со 168 контактами, асейчас появляется еще разъем RIMM. Первоначально материнские платы поддерживали оба разъема, но ужедовольно продолжительное время они комплектуются исключительно разъемамиDIMM. Это связано с упомянутой возможностью устанавливать их по одномумодулю и тем, что SDRAM обладает большим быстродействием по сравнению с FPMи EDORAM. Список литературы 1. Скотт Мюллер «Модернизация и ремонт ПК», 11-е издание, издательский дом «Вильямс», М 2000г. 2. С.В.Симонович «Вы купили компьютер», М 2000г. 3. Жарков С. «Оперативная память». 4. INTERNET:1) http://kv.minsk.by2) http://www2.sscc.ru3) www.megaplus.ru4) www.izcity.com




Похожие:

Сравнительная характеристика модулей памяти simm и dimm iconКурсовая работа По предмету: «Общая психология» На тему: «Индивидуальные особенности памяти и их связь со способностями»
Исследование индивидуальных особенностей памяти отечественными и зарубежными исследователями. Индивидуальные особенности памяти их...
Сравнительная характеристика модулей памяти simm и dimm iconСравнительная характеристика Гринева и Швабрина (по повести А. С. Пушкина Капитанская дочка) Повесть А. С. Пушкина рассказывает об исторических событиях концавосемнадцатого века
Сравнительная характеристика Гринева и Швабрина (по повести А. С. Пушкина Капитанская дочка)
Сравнительная характеристика модулей памяти simm и dimm iconМ. Ю. Лермонтова (сравнительная характеристика) "Демон" и "Мцыри" М. Ю. Лермонтова (сравнительная характеристика) в настоящей статье ставится задача
В настоящей статье ставится задача сравнительного рассмотрения некоторых тем и образов, получивших отражение в поэмах М. Ю. Лермонтова...
Сравнительная характеристика модулей памяти simm и dimm iconБ. Н. Кашников
Курс логики на отделении философии философского факультета ниу вшэ читается в течение 6-ти модулей (3-х модулей на первом курсе бакалавриата...
Сравнительная характеристика модулей памяти simm и dimm iconВопросы к кандидатскому экзамену по специальности 12. 00. 14 Институт государственной (гражданской) службы в Великобритании и России (сравнительная характеристика)
Субъекты административного права в России и США (сравнительно-правовая характеристика)
Сравнительная характеристика модулей памяти simm и dimm icon«сравнительная характеристика художественного воплощения темы «морского путешествия» в романах «Робинзон Крузо» и«Путешествие Гулливера» студентки филологического ф-та 2 курса ш семестра Нижний Новгород 2001 г.
...
Сравнительная характеристика модулей памяти simm и dimm iconВосток и Запад Сравнительная характеристика

Сравнительная характеристика модулей памяти simm и dimm iconСравнительная характеристика Александра и Наполеона

Сравнительная характеристика модулей памяти simm и dimm iconСравнительная характеристика Манилова и Собакевича

Сравнительная характеристика модулей памяти simm и dimm iconСравнительная характеристика экономических учений

Разместите кнопку на своём сайте:
Документы


База данных защищена авторским правом ©rushkolnik.ru 2000-2015
При копировании материала обязательно указание активной ссылки открытой для индексации.
обратиться к администрации
Документы