Программа дисциплины «Технологические процессы микроэлектроники»  для направления 211000. 62 «Конструирование и технология электронных средств» icon

Программа дисциплины «Технологические процессы микроэлектроники»  для направления 211000. 62 «Конструирование и технология электронных средств»



НазваниеПрограмма дисциплины «Технологические процессы микроэлектроники»  для направления 211000. 62 «Конструирование и технология электронных средств»
Дата конвертации25.06.2013
Размер210.1 Kb.
ТипПрограмма дисциплины
скачать >>>


Правительство Российской Федерации


Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования
"Национальный исследовательский университет
"Высшая школа экономики"



Факультет «Радиоэлектроники и телекоммуникаций»

Программа дисциплины «Технологические процессы микроэлектроники»




для направления 211000.62 «Конструирование и технология электронных средств», бакалавр


Автор программы:

Иванов Илья Александрович, к.т.н.


Одобрена на заседании кафедры Радиоэлектроники и телекоммуникации «___»____________ 2012 г


Зав. кафедрой С.У.Увайсов


Рекомендована секцией УМС [Введите название секции УМС «___»____________ 2012 г

Председатель [Введите И.О. Фамилия]


Утверждена УС факульте «Радиоэлектроники и телекоммуникаций» «___»_____________2012 г.


Ученый секретарь [Введите И.О. Фамилия] ________________________ [подпись]


Москва, 2012

^ Настоящая программа не может быть использована другими подразделениями университета и другими вузами без разрешения кафедры-разработчика программы.


1. Цели и задачи дисциплины: Изучение методов и средств технологической реализации различных типов микроэлектронных изделий (МЭИ).


^ 2. Место дисциплины в структуре ООП: Дисциплина Б.3.В.6 относится к профессиональному циклу как дисциплина региональной компоненты.


Виды учебной работы: лекции, практические занятия, курсовая работа.


Изучение дисциплины заканчивается зачетом и экзаменом.


Предшествующие дисциплины:

  • Химия.

  • Физика.

  • Математика.

  • Электротехника и электроника.

  • Материалы и компоненты электронных средств.

  • Физические основы микроэлектроники и наноэлектроники.


^ 3. Требования к результатам освоения дисциплины:

    Процесс изучения дисциплины направлен на формирование следующих компетенций:

  • способностью выявить естественнонаучную сущность проблем, возникающих в ходе профессиональной деятельности, привлечь для их решения соответствующий физико-математический аппарат (ПК-2),

  • готовностью учитывать современные тенденции развития электроники, измерительной и вычислительной техники, информационных технологий в своей профессиональной деятельности (ПК-3),

  • способностью владеть основными приемами обработки и представления экспериментальных данных (ПК-5);

  • способностью собирать, обрабатывать, анализировать и систематизировать научно-техническую информацию по тематике исследования, использовать достижения отечественной и зарубежной науки, техники и технологии (ПК-6);

  • способностью владеть элементами начертательной геометрии и инженерной графики, применять современные программные средства выполнения и редактирования изображений и чертежей и подготовки конструкторско-технологической документации (ПК-7)

  • готовностью осуществлять контроль соответствия разрабатываемых проектов и технической документации стандартам, техническим условиям и другим нормативным документам (ПК-12),

  • способностью выполнять работы по технологической подготовке производства (ПК-14)

  • способность создавать документацию и участвовать в работе системы менеджмента качества на предприятии (ПК-15)

  • готовностью организовать метрологическое обеспечение производства электронных средств (ПК-16)

  • способностью осуществлять контроль соблюдения экологической безопасности (ПК-17)

  • способностью осуществлять сбор и анализ научно-технической информации, обобщать отечественный и зарубежный опыт в области конструирования и технологии электронных средств, проводить анализ патентной литературы (ПК-18),

  • готовностью проводить эксперименты по заданной методике, анализировать результаты, составлять обзоры, отчеты (ПК-20);

  • готовностью формировать презентации, научно-технические отчеты по результатам выполненной работы, оформлять результаты исследований в виде статей и докладов на научно-технических конференциях (ПК-21);

  • готовностью внедрять результаты исследований и разработок и организовывать защиту прав на объекты интеллектуальной собственности (ПК-22);

  • готовностью использовать методы профилактики производственного травматизма, профессиональных заболеваний, предотвращения экологических нарушений (ПК-26).

  • готовностью осуществлять поверку технического состояния и остаточного ресурса оборудования, организовывать профилактические осмотры и текущий ремонт (ПК-30).

  • способностью составлять заявки на запасные детали и расходные материалы, а также на поверку и калибровку аппаратуры (ПК-31).


^ В результате изучения дисциплины студент должен:


знать: физико-химические основы технологических процессов, применяемых в производстве интегральных микросхем (ИМС), методы контроля технологических процессов, принципы работы технологического оборудования, методы оптимизации технологических процессов, типовые технологические процессы сборочно-монтажного производства, систему стандартов ЕСТД и ЕСТПП;


уметь: рассчитывать технологичность и формировать технологические операции по изготовление ИМС, осуществлять выбор технологического оборудования и используемых материалов, оформлять технологическую документацию;


владеть: знаниями об организации технологических служб на предприятиях.


^ 4. Объем дисциплины и виды учебной работы

Вид учебной работы


Всего часов / зачетных единиц

Семестры

7

8

^ Аудиторные занятия (всего)

72

36

36

В том числе:

_

_

_

Лекции

36

18

18

Практические занятия (ПЗ)

36

18

18

Семинары (С)

_

_

_

Лабораторные работы (ЛР)

_

_

_

^ Самостоятельная работа (всего)

36

18

18

В том числе:

-

-

-

Курсовой проект (работа)

к.р

_

к.р.

Расчетно-графические работы








Реферат








^ Другие виды самостоятельной работы




















Вид промежуточной аттестации (зачет, экзамен)




_

Зачет, экзамен

Общая трудоемкость с экзаменом (36 ч.=1 зач. ед.)




Часы

144

54

90

Зачетные единицы

4,0

1,5

2,5



^ 5. Содержание дисциплины

5.1. Содержание разделов дисциплины

№ п/п

Наименование раздела дисциплины

Содержание раздела

Семестр 7


1


Введение

Этапы развития электроники. Микроэлектроника. Особенности МЭИ и их классификация. Термины и определения. Технологические процессы и структура производства МЭИ.

2

Элементы конструкции МЭИ

Подложки и пластины полупроводниковых, пленочных и гибридных ИМС, их свойство и применяемые материалы.

Корпуса ИМС, типы, назначение.

3

Полупроводниковые и пленочные элементы ИМС

Конструктивно-технологические особенности реализации пассивных и активных элементов ИМС.

4

Изготовление и подготовка пластин и подложек

Ориентация полупроводниковых слитков. Механическая обработка слитков, пластин и подложек. Жидкостная и сухая обработка подложек и пластин.


5


Эпитаксия

Эпитаксиальное наращивание газа- и жидкофазным методами. Схемы установок. Особенности технологических процессов.

6

Защитные и пассивирующие покрытия

Физико-химические основы окисления кремня. Схема установок, принцип их действия, последовательность операций. Защитные слои на других полупроводниках.


7


Литография

Фотолитография. Фоторезисты (виды, свойства, особенности). Технологические особенности операций процесса. Ионно-лучевая, рентгеновская и электронно-лучевая литографии.

8

Легирование

Основы диффузионного легирования полупроводниковых пластин из постоянного и ограниченного источников. Схемы проведения диффузии. Ионное легирование (имплантация).


9


Нанесение тонких пленок

Термовакуумное напыление проводящих, резистивных и диэлектрических пленок. Создание и контроль вакуума. Испарители. Технологические факторы процесса напыления.

Семестр 8


10


Ионное распыление


Основы метода. Физическое и реактивное катодное распыление. Ионно-плазменное, высокочастотное и магнетронное распыление.

11

Технология биполярных ИМС с диодной изоляцией.

Стандартная технология (возможности, достоинства, недостатки). КИД-технология (особенности и преимущества).

12

Технология биполярных ИМС с диэлектрической изоляцией.

EPIC – технология (особенности и недостатки процесса). Технология КВД (кремний внутри диэлектрика). Технология КНД (кремний на диэлектрике) и КНС (кремний на сапфире).

13

Технология биполярных ИМС с комбинированной изоляцией.

Изопланарная технология (особенности, преимущества, проблемы). Технология «Эпипланар». Варианты технологий вертикального анизотропного травления. Полипланарная технология.

14

Технология ИМС и МП (микропроцессоров) на МДП-структурах.

Технологии МДП-ИМС на n-канальных транзисторах, КМД-ИМС с алюминиевым затвором и КМД - ИМС на диэлектрической подложке.

15

Технология тонкопленочных ИМС и микроплат.

Изготовление микроплат ГИМС (гибридных ИМС) методами свободной маски, двойной фотолитографии и контактной маски.

16

Технология толстопленочных ИМС и микроплат.

Схема типового технологического процесса. Подложки. Состав паст (проводящих, припойных, резистивных и диэлектрических). Трафареты и процесс трафаретной печати. Термообработка паст.

17

Технология микроплат гибридных больших интегральных микросхем (ГБИС) и микросборок (МСБ)

Возможность применения тонко- и толстопленочной технологии. Применение многослойной керамики и полиимидных материалов.


18


Подгонка элементов, сборка и герметизация ИМС и МЭИ.

Дискретная и термическая подгонка. Монтаж кристаллов и плат. Присоединение выводов приклейкой, пайкой и микросваркой (давлением и плавлением). Разновидности сварки. Метод группового беспроволочного монтажа. Корпусная, бескорпусная и комбинированная герметизация. Пайка, сварка и заливка компаундами.



^ 5.2 Разделы дисциплины и междисциплинарные связи с обеспечиваемыми

(последующими) дисциплинами


№ п/п

Наименование обеспе-чиваемых (последую-щих) дисциплин

№ разделов данной дисциплины, необходимых для изучения обеспечиваемых (последующих) дисциплин

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

18

1.

Конструирование интегральных микросхем.

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

2.

Технология производства электронных средств.

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

3

Теоретические основы конструирования, технологии и надежности радиоэлектронных средств.

+

+

+






















+

+

+

+

+

+

+

+

4

Информационные технологии в проектировании электронных средств.































+

+

+

+

+

+

+

+


^ 5.3. Разделы дисциплин и виды занятий

№ п/п

Наименование раздела дисциплины

Лекц.

Практ.

зан.

Лаб.

зан.

Семин.

СРС

Все-го

Семестр 7

1

Введение

2

2







2

6

2

Элементы конструкции МЭИ

2

2







2

6

3

Полупроводниковые и пленочные элементы ИМС

2

2







2

6

4

Изготовление и подготовка пластин и подложек

2

2







2

6

5

Эпитаксия

2

2







2

6

6

Защитные и пассивирующие покрытия

2

2







2

6

7

Литография

2

2







2

6

8

Легирование

2

2







2

6

9

Нанесение тонких пленок

2

2







2

6

Семестр 8

10

Ионное распыление

2

2







2

6

11

Технология биполярных ИМС с диодной изоляцией

2

2







2

6

12

Технология биполярных ИМС с диэлектрической изоляцией

2

2







2

6

13

Технология биполярных ИМС с комбинированной изоляцией

2

2







2

6

14

Технология ИМС и МП на МДП - структурах

2

2







2

6

15

Технология тонкопленочных ИМС и микроплат

2

2







2

6

16

Технология толстопленочных ИМС и микроплат

2

2







2

6

17

Технология микроплат ГБИС и МСБ

2

2







2

6

18

Подгонка элементов, сборка и герметизация ИМС и МЭИ

2

2







2

6


^ 6. Лабораторный практикум – не предусмотрен.

7. Примерная тематика курсовых проектов (работ):

  • Разработка технологической схемы производства И2Л - ИМС

  • Разработка технологической схемы производства И3Л - ИМС

  • Разработка технологического маршрута МДП - ИМС с многослойным диэлектриком

  • Разработка технологического маршрута комплементарной МДП - ИМС

  • Разработка технологии изготовления ИМС на арсениде галлия


^ 8. Учебно-методическое и информационное обеспечение дисциплины:

а) основная литература:

Чернозубов Ю. С. «Технология производства МЭИ». Уч. пособие. – М.: МИЭМ, 2010. – 216 с.

Чернозубов Ю. С., Лемешко Н. В. «Технологическое оснащение и средства контроля в производстве микроэлектронных изделий». Уч. пособие для самостоятельной работы студентов. – М.: МИЭМ, 2011. – 48 с.

Коледов Л. А. «Технология и конструкции микросхем, микропроцессоров и микросборок». – С.-ПБ.: Издательство «Лань», 2008. – 400 с.

Киреев В. Ю. «Технология микроэлектроники». – М.: Техносфера, 2006. – 192 с.

б) дополнительная

Степаненко И. П. «Основы микроэлектроники». – М.: Лаборатория базовых знаний, 2001.- 488 с.

Медведев А. М. «Сборка и монтаж электронных устройств». – М.: Техносфера, 2007. – 256 с.

Королев М. А. «Технология, конструкции и методы моделирования кремниевых интегральных микросхем». – М.: БИНОМ Лаборатория знаний, 2007. – 397 с.

в) базы данных, информационно-справочные и поисковые системы

Рекомендуется использовать Интернет-ресурсы для поиска информации, дополняющей лекционный курс, и выполнения курсовой работы

9. Материально-техническое обеспечение дисциплины базируется на материально-техническом обеспечении кафедры РЭТ






Похожие:

Программа дисциплины «Технологические процессы микроэлектроники»  для направления 211000. 62 «Конструирование и технология электронных средств» iconДокументи
1. /211000.62 Конструирование и технология электронных средств Проектирование и технология...
Программа дисциплины «Технологические процессы микроэлектроники»  для направления 211000. 62 «Конструирование и технология электронных средств» iconДокументи
1. /211000.62 Конструирование и технология электронных средств Проектирование и технология...
Программа дисциплины «Технологические процессы микроэлектроники»  для направления 211000. 62 «Конструирование и технология электронных средств» iconПрограмма дисциплины Численные методы в проектировании электронных средств  для направления/ специальности 211000 «Конструирование и технология электронных средств»

Программа дисциплины «Технологические процессы микроэлектроники»  для направления 211000. 62 «Конструирование и технология электронных средств» iconПрограмма дисциплины Прикладная механика  для направления 211000. 62 «Конструирование и технология электронных средств»

Программа дисциплины «Технологические процессы микроэлектроники»  для направления 211000. 62 «Конструирование и технология электронных средств» iconПрограмма дисциплины «Математические методы в электродинамике»  для направления 211000. 68 «Конструирование и технология электронных средств»

Программа дисциплины «Технологические процессы микроэлектроники»  для направления 211000. 62 «Конструирование и технология электронных средств» iconПрограмма дисциплины «Математические методы в электродинамике»  для направления 211000. 68 «Конструирование и технология электронных средств»

Программа дисциплины «Технологические процессы микроэлектроники»  для направления 211000. 62 «Конструирование и технология электронных средств» iconПрограмма дисциплины «Основы управления техническими системами»  для направления 211000. 62 «Конструирование и технология электронных средств»

Программа дисциплины «Технологические процессы микроэлектроники»  для направления 211000. 62 «Конструирование и технология электронных средств» iconПрограмма дисциплины «Математические методы в прикладной электродинамике»  для направления 211000. 68 «Конструирование и технология электронных средств»

Программа дисциплины «Технологические процессы микроэлектроники»  для направления 211000. 62 «Конструирование и технология электронных средств» iconПрограмма дисциплины «Техническая диагностика электронных средств»  для направления 211000. 62 «Конструирование и технология электронных средств»
Целью изучения дисциплины является формирование у магистрантов базовых знаний по оценке текущего технического состояния радиоэлектронных...
Программа дисциплины «Технологические процессы микроэлектроники»  для направления 211000. 62 «Конструирование и технология электронных средств» iconПрограмма дисциплины «Методы и средства технической диагностики электронных средств»  для направления 211000. 62 «Конструирование и технология электронных средств»
Целью изучения дисциплины является формирование у магистрантов базовых знаний по оценке текущего технического состояния радиоэлектронных...
Разместите кнопку на своём сайте:
Документы


База данных защищена авторским правом ©rushkolnik.ru 2000-2015
При копировании материала обязательно указание активной ссылки открытой для индексации.
обратиться к администрации
Документы